半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制造方法及半導(dǎo)體器件

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110577656.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113206146A 公開(kāi)（公告）日 2021-08-03
申請(qǐng)公布號(hào) CN113206146A 申請(qǐng)公布日 2021-08-03
分類號(hào) H01L29/40（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李強(qiáng);劉維;張海宇;楊彥剛;左義忠;姜明寶 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 吉林華微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 陳萬(wàn)藝
地址 132000吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)實(shí)施例提供一種半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)、制造方法及半導(dǎo)體器件，半導(dǎo)體器件終端結(jié)構(gòu)包括：屏蔽柵溝槽，屏蔽柵溝槽內(nèi)側(cè)覆蓋有第一絕緣氧化物層并設(shè)置有第一多晶硅；隔離溝槽，隔離溝槽中設(shè)置有第二絕緣氧化物層，隔離溝槽中的第一絕緣氧化物層與屏蔽柵溝槽中的第二絕緣氧化物層連通。通過(guò)在終端處相鄰兩個(gè)屏蔽柵溝槽之間設(shè)置填充有絕緣氧化材料的隔離溝槽，隔離溝槽將屏蔽柵溝槽界定出的外延層區(qū)隔離開(kāi)，可以使靠近隔離溝槽的有源區(qū)內(nèi)的外延層區(qū)和有源區(qū)深處的外延層區(qū)具有基本相同的電場(chǎng)分布，從而有效提高終端結(jié)構(gòu)的最高耐壓，并降低了芯片制造的工藝難度，可以提升芯片制造的效率。