具有負反饋電容的IGBT器件及制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811521396.9 申請日 -
公開（公告）號 CN109671626B 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN109671626B 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L21/331（2006.01）I;H01L29/739（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 左義忠;楊壽國;王修忠;高宏偉;邢文超 申請（專利權）人 吉林華微電子股份有限公司
代理機構 北京超凡志成知識產權代理事務所（普通合伙） 代理人 王術蘭
地址 132013吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種具有負反饋電容的IGBT器件及制作方法，涉及半導體器件技術領域，包括N型單晶硅、多晶硅電極、P+層、金屬層、溝槽形電容的絕緣氧化層、CS電荷存儲層以及半導體的P阱區(qū)；多晶硅電極通過溝槽形電容的絕緣氧化層與CS電荷存儲層以及N型單晶硅形成溝槽形負反饋電容；多晶硅電極以及P+層通過金屬層與半導體的P阱區(qū)進行歐姆接觸；負反饋電容進行充放電時，充放電電流通過半導體的P阱區(qū)形成壓降，該方式通過在IGBT原胞中設置溝槽形負反饋電容降低了米勒電容的產生的偏壓，提高了IGBT器件的開關性能。