一種硅片制作方法及硅片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110291086.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113066719A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-07-02 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113066719A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-07-02 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L21/306;H01L21/308 | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 于航;馬占良;劉俊嘉 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 吉林華微電子股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 宋江 |
| 地址 | 132000 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種硅片制作方法及硅片，涉及微電子技術(shù)領(lǐng)域，硅片制作方法包括：首先在硅片的表面形成氧化層；然后通過(guò)化學(xué)氣相沉積法在氧化層的表面形成保護(hù)膜；接著在保護(hù)膜的表面形成光刻膠層，并利用光刻版上的圖形進(jìn)行光刻工藝，再利用腐蝕液在氧化層上腐蝕出圖形；然后利用硅槽腐蝕液根據(jù)圖形對(duì)硅片的本體進(jìn)行槽腐蝕，以形成基于圖形確定的硅槽；最終去除光刻膠層，形成具有硅槽的硅片，通過(guò)上述步驟，相較于現(xiàn)有技術(shù)中硅槽制作過(guò)程中由于光刻膠層過(guò)早的脫落造成的硅槽結(jié)構(gòu)不完整的問(wèn)題，利用化學(xué)氣相沉積法形成的保護(hù)膜能夠?qū)崿F(xiàn)一種能夠保證硅槽結(jié)構(gòu)完整的硅片制作技術(shù)方案。 |
