一種硅片制作方法及硅片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110291086.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113066719A 公開（公告）日 2021-07-02
申請公布號 CN113066719A 申請公布日 2021-07-02
分類號 H01L21/306;H01L21/308 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 于航;馬占良;劉俊嘉 申請（專利權）人 吉林華微電子股份有限公司
代理機構 成都極刻智慧知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 宋江
地址 132000 吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅片制作方法及硅片，涉及微電子技術領域，硅片制作方法包括：首先在硅片的表面形成氧化層；然后通過化學氣相沉積法在氧化層的表面形成保護膜；接著在保護膜的表面形成光刻膠層，并利用光刻版上的圖形進行光刻工藝，再利用腐蝕液在氧化層上腐蝕出圖形；然后利用硅槽腐蝕液根據(jù)圖形對硅片的本體進行槽腐蝕，以形成基于圖形確定的硅槽；最終去除光刻膠層，形成具有硅槽的硅片，通過上述步驟，相較于現(xiàn)有技術中硅槽制作過程中由于光刻膠層過早的脫落造成的硅槽結構不完整的問題，利用化學氣相沉積法形成的保護膜能夠實現(xiàn)一種能夠保證硅槽結構完整的硅片制作技術方案。