可控硅結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120561027.3 申請日 -
公開（公告）號 CN214254427U 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN214254427U 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L29/74（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 孫傳幫;邵長海;左建偉;楊志偉 申請（專利權(quán)）人 吉林華微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都極刻智慧知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 唐維虎
地址 132000吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請?zhí)峁┑目煽毓杞Y(jié)構(gòu)，涉及功率半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在本申請中，可控硅結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、陽極結(jié)構(gòu)、門極結(jié)構(gòu)和陰極結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一半導(dǎo)體材料層、第二半導(dǎo)體材料層、第三半導(dǎo)體材料層和第四半導(dǎo)體材料層。陽極結(jié)構(gòu)與第一半導(dǎo)體材料層電連接，門極結(jié)構(gòu)與第三半導(dǎo)體材料層電連接，陰極結(jié)構(gòu)與第四半導(dǎo)體材料層電連接。陽極結(jié)構(gòu)、門極結(jié)構(gòu)和陰極結(jié)構(gòu)至少分布于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相對的兩側(cè)?；谏鲜鲈O(shè)置，可以提高可控硅結(jié)構(gòu)的封裝便利性。