可控硅結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110673779.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113410296A 公開（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113410296A 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H01L29/74（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊志偉;邵長(zhǎng)海;左建偉;孫傳幫 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 吉林華微電子股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 成都極刻智慧知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋江
地址 132000吉林省吉林市高新區(qū)深圳街99號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請(qǐng)?zhí)峁┑目煽毓杞Y(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在本申請(qǐng)中，可控硅結(jié)構(gòu)包括電極結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，電極結(jié)構(gòu)與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)電連接。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括至少一層N型半導(dǎo)體材料層和至少一層P型半導(dǎo)體材料層。其中，至少一層N型半導(dǎo)體材料層和至少一層P型半導(dǎo)體材料層中的至少一層為目標(biāo)半導(dǎo)體層，目標(biāo)半導(dǎo)體層包括依次分布的摻雜濃度不同和/或摻雜元素不同的多個(gè)子區(qū)域?；谏鲜鼋Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可以改善現(xiàn)有的可控硅結(jié)構(gòu)中存在的動(dòng)態(tài)特性不佳的問題。