一種分布式反饋激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120572260.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214411760U 公開（公告）日 2021-10-15
申請公布號 CN214411760U 申請公布日 2021-10-15
分類號 H01S5/12（2021.01）I;H01S5/20（2006.01）I;H01S5/22（2006.01）I;H01S5/06（2006.01）I;H01S5/065（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 吳猛;劉朝明;王濤 申請（專利權(quán)）人 因林光電科技（蘇州）有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了一種分布式反饋激光器，包括：激光器外延結(jié)構(gòu)，激光器外延結(jié)構(gòu)包括襯底以及位于襯底一側(cè)的多層外延層；位于上接觸層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第一電極層；其中，第一電極層、上接觸層和部分上光場限制層形成脊形結(jié)構(gòu)和光柵結(jié)構(gòu)組，光柵結(jié)構(gòu)組位于脊形結(jié)構(gòu)兩側(cè)；光柵結(jié)構(gòu)組包括至少兩個沿第一方向排列的子光柵結(jié)構(gòu)，存在兩個子光柵結(jié)構(gòu)的光柵周期L不同；至少兩個子光柵結(jié)構(gòu)包括至少一個公共激射模式；第一方向與襯底所在平面平行；位于襯底遠(yuǎn)離外延層一側(cè)的第二電極層。本實用新型有效降低器件制備難度和制備成本，降低器件的光損耗，增加光柵制備精度，顯著提升器件的性能。