一種分布式反饋激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011407932.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112490848A 公開（公告）日 2021-03-12
申請公布號 CN112490848A 申請公布日 2021-03-12
分類號 H01S5/30(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I;H01S5/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張宇暉;王濤;劉朝明 申請（專利權）人 因林光電科技（蘇州）有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種分布式反饋激光器及其制備方法，分布式反饋激光器包括：激光器外延結(jié)構(gòu)，激光器外延結(jié)構(gòu)包括襯底以及位于襯底一側(cè)的多層外延層，多層外延層包括中間外延層以及依次位于中間外延層遠離襯底一側(cè)的上光場限制層和上接觸層；外延層的材料包括Alx1Iny1Ga1?x1?y1N，其中，0≤x1≤1、0≤y1≤1，0≤(x1+y1)≤1；位于上接觸層遠離襯底一側(cè)的第一類型歐姆接觸金屬層；其中，上光場限制層、上接觸層和第一類型歐姆接觸金屬層形成脊形結(jié)構(gòu)；脊形結(jié)構(gòu)沿m方向延伸，脊形結(jié)構(gòu)中，上接觸層和部分上光場限制層的側(cè)面均為m面；位于襯底遠離外延層一側(cè)的第二類型歐姆接觸金屬層。本發(fā)明解決了干法刻蝕脊形側(cè)壁的非輻射復合和漏電以及激射波長不穩(wěn)定的技術問題。??