一種半導(dǎo)體激光器集成芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011411644.1 申請日 -
公開（公告）號 CN113410759A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410759A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01S5/22（2006.01）I;H01S5/12（2021.01）I;H01S5/042（2006.01）I;H01S5/0687（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉朝明;高磊;張宇暉 申請（專利權(quán)）人 因林光電科技（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體激光器集成芯片及其制備方法，集成芯片包括激光出射單元和激光探測單元；集成芯片還包括：公共外延結(jié)構(gòu)；位于公共外延結(jié)構(gòu)一側(cè)的第一介質(zhì)結(jié)構(gòu)和分立外延結(jié)構(gòu)；分立外延結(jié)構(gòu)包括第一分立外延結(jié)構(gòu)和第二分立外延結(jié)構(gòu)；激光出射單元包括公共外延結(jié)構(gòu)、第一分立外延結(jié)構(gòu)、第一分立電極和公共電極；激光探測單元包括公共外延結(jié)構(gòu)、第二分立外延結(jié)構(gòu)、第二分立電極和公共電極；激光出射單元具備第一腔長，激光探測單元具備第二腔長，第一介質(zhì)結(jié)構(gòu)具備第三腔長，半導(dǎo)體激光器集成芯片的腔長為第一腔長、第三腔長與第二腔長之和。解決激光器腔長短難解理、良率低以及輸出功率不穩(wěn)定，影響激光器的使用場景和使用范圍的技術(shù)問題。