一種半導(dǎo)體激光器
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202023055501.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN213584599U | 公開(公告)日 | 2021-06-29 |
申請公布號 | CN213584599U | 申請公布日 | 2021-06-29 |
分類號 | H01S5/22(2006.01)I;H01S5/028(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 劉朝明;王濤;張鵬 | 申請(專利權(quán))人 | 因林光電科技(蘇州)有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 孟金喆 |
地址 | 215002江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本實用新型實施例公開了一種半導(dǎo)體激光器,激光器包括:激光器外延結(jié)構(gòu),激光器外延結(jié)構(gòu)包括襯底以及位于襯底一側(cè)的多層外延層,多層外延層包括中間外延層以及依次位于中間外延層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的上光場限制層和上接觸層;位于上接觸層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第一電極層;其中,第一電極層、上接觸層和部分上光場限制層形成脊形結(jié)構(gòu);覆蓋剩余上光場限制層以及脊形結(jié)構(gòu)側(cè)壁的第一介質(zhì)層;位于脊形結(jié)構(gòu)兩側(cè)且位于第一介質(zhì)層遠(yuǎn)離襯底一側(cè)的第二電極層;位于襯底遠(yuǎn)離激光器外延結(jié)構(gòu)一側(cè)的第三電極層。本實用新型解決了現(xiàn)有技術(shù)中激光器中電流橫向擴(kuò)展的問題,提高載流子的注入效率,減低閾值電流、提高斜率效率,有效提升激光器器件性能和可靠性。 |
