一種半導(dǎo)體激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011360285.1 申請日 -
公開（公告）號 CN112467518A 公開（公告）日 2021-03-09
申請公布號 CN112467518A 申請公布日 2021-03-09
分類號 H01S5/042(2006.01)I;H01S5/12(2021.01)I;H01S5/22(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 劉朝明;王濤;張鵬 申請（專利權(quán)）人 因林光電科技（蘇州）有限公司
代理機構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215002江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實施例公開了一種半導(dǎo)體激光器的制備方法，包括：制備半導(dǎo)體激光器的外延結(jié)構(gòu)，在上接觸層遠離所述襯底的一側(cè)制備第一電極層，在第一電極層遠離襯底的一側(cè)制備犧牲層，刻蝕犧牲層、第一電極層、上接觸層和部分上光場限制層形成脊形結(jié)構(gòu)，刻蝕剩余部分上光場限制層和犧牲層形成光柵結(jié)構(gòu)，去除犧牲層，在襯底遠離中間外延層的一側(cè)制備第二電極層，對外延結(jié)構(gòu)、第一電極層和第二電極層進行劃片、解理、鍍膜以及裂片工藝，形成半導(dǎo)體激光器。本發(fā)明實施例采用一次外延生長技術(shù)，且制備過程簡單，有效降低半導(dǎo)體激光器制造成本，實現(xiàn)了光柵的可控制備，可降低器件的接觸電阻，有效提升了器件性能和可靠性，有利于大規(guī)模生產(chǎn)。??