一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010988980.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112103767B 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN112103767B 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01S5/183（2006.01）I;H01S5/187（2006.01）I;H01S5/042（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張宇暉;王濤;劉朝明 申請（專利權(quán)）人 因林光電科技（蘇州）有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 孟金喆
地址 215163江蘇省蘇州市蘇州高新區(qū)科技城五臺山路588號2號廠房101
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種垂直腔面發(fā)射激光器及其制備方法，制備方法包括：形成InP系外延結(jié)構(gòu)，InP系外延結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的InP襯底、n型上DBR層、有源區(qū)及波導(dǎo)層和第一p型下DBR層；形成GaAs系外延結(jié)構(gòu)，GaAs系外延結(jié)構(gòu)包括層疊設(shè)置的p型GaAs襯底以及第二p型下DBR層；鍵合第一p型下DBR層和第二p型下DBR層；去除InP襯底，露出n型上DBR層；圖案化n型上DBR層以形成多個(gè)n型上DBR單元；在有源區(qū)及波導(dǎo)層靠近n型上DBR層的一側(cè)形成限流層，限流層與n型上DBR單元同層設(shè)置；形成多個(gè)環(huán)形電極和背電極，并在環(huán)形電極圍成的區(qū)域內(nèi)形成介質(zhì)DBR層，以形成垂直腔面發(fā)射激光器晶圓，切割晶圓以形成多個(gè)垂直腔面發(fā)射激光器。該制備方法可以提高成品率和生產(chǎn)效率。