一種晶體硅太陽能電池的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310125311.6 申請日 -
公開（公告）號 CN103208564B 公開（公告）日 2016-01-20
申請公布號 CN103208564B 申請公布日 2016-01-20
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 石強;李旺;單偉;韓瑋智;牛新偉;蔣前哨;金建波;仇展煒 申請（專利權）人 酒泉正泰太陽能科技有限公司
代理機構 北京漢昊知識產(chǎn)權代理事務所（普通合伙） 代理人 馮譜
地址 314417 浙江省嘉興市海寧市尖山新區(qū)吉盛路1號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種晶體硅太陽能電池的制備方法，該方法包括以下步驟：在硅片正面形成絨面；在所述硅片正面進行P離子注入；在所述硅片的背面進行重摻雜，并對所述硅片進行退火；去除重摻雜區(qū)的P擴散層和磷硅玻璃；在所述硅片正面形成減反膜；在所述硅片背面形成背電極和鋁背場；在所述硅片正面形成正電極。本發(fā)明的方法制備的太陽能電池在具有通過離子注入獲得的高效p-n結的同時還具有優(yōu)異的背面吸雜效果，光電轉換效率得到了顯著提升。