單晶爐用熱屏
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201020531582.3 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN201785546U | 公開（公告）日 | 2011-04-06 |
| 申請公布號 | CN201785546U | 申請公布日 | 2011-04-06 |
| 分類號 | C30B15/14(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 張勇 | 申請（專利權(quán)）人 | 安徽中科太陽能有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 239200 安徽省來安縣工業(yè)新區(qū)C區(qū)迎賓大道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型涉及單晶爐用熱屏，包括外熱屏、內(nèi)熱屏以及位于外熱屏和內(nèi)熱屏之間的保溫層，所述的外熱屏和內(nèi)熱屏固定連接，外熱屏的錐度為0.16-0.23，內(nèi)熱屏的錐度為0.52-0.63，所述的內(nèi)熱屏和外熱屏均采用等靜壓石墨制成，保溫層的材料為軟氈。本實用新型的有益效果是：通過調(diào)整內(nèi)外熱屏錐度，改變保溫層厚度，使屏蔽效果更佳，硅單晶生長速度更快；外熱屏錐度變小，外熱屏底部略平，增大了氬氣流速，增強(qiáng)了SiO等雜質(zhì)的揮發(fā)，改善了硅單晶的生長環(huán)境，提高了硅單晶收率及質(zhì)量。 |
