直拉法單晶硅生產(chǎn)用石英坩堝

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201220130465.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN202558962U 公開(kāi)（公告）日 2012-11-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN202558962U 申請(qǐng)公布日 2012-11-28
分類號(hào) C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 張勇 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 安徽中科太陽(yáng)能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 安徽信拓律師事務(wù)所 代理人 婁爾玉
地址 239200 安徽省滁州市來(lái)安縣工業(yè)新區(qū)C區(qū)迎賓大道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型涉及直拉法單晶硅生產(chǎn)用石英坩堝，包括石英坩堝本體，本體內(nèi)壁具有保護(hù)涂層，所述石英坩堝的堝體內(nèi)壁的保護(hù)涂層為碳酸鋇涂層，所述內(nèi)壁的保護(hù)涂層的厚度為1至3微米。本實(shí)用新型內(nèi)壁的碳酸鋇涂層可與硅產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，生成性質(zhì)穩(wěn)定的硅酸鋇，硅酸鋇附著在石英坩堝的內(nèi)壁，不會(huì)與高溫硅熔體產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)，所以在單晶硅的生產(chǎn)過(guò)程中，石英坩堝的內(nèi)壁不會(huì)被高溫硅熔體侵蝕，高溫下具有高強(qiáng)度并改善硅晶體晶格完美性的石英坩堝，具有較高的實(shí)用價(jià)值。