壓力傳感器的硅芯片結(jié)構(gòu)總成

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201320788479.0 申請日 -
公開（公告）號 CN203616042U 公開（公告）日 2014-05-28
申請公布號 CN203616042U 申請公布日 2014-05-28
分類號 G01L9/06(2006.01)I;G01L19/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇 申請（專利權(quán)）人 上海旦宇傳感器科技有限公司
代理機構(gòu) 廣州嘉權(quán)專利商標事務所有限公司 代理人 馮劍明
地址 529100 廣東省江門市新會區(qū)會城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了壓力傳感器的硅芯片結(jié)構(gòu)總成，包括硅芯片，所述硅芯片上設置有硅彈性膜區(qū)，在該硅彈性膜區(qū)上設置有四個壓敏電阻構(gòu)成惠斯頓電橋，所述硅芯片上連接有金屬基座，所述金屬基座上設置有容置外部被測介質(zhì)的通道，硅芯片上對應該通道位置設置有背腔區(qū)，背腔區(qū)與所述硅彈性膜區(qū)對應，所述硅彈性膜區(qū)為由梁區(qū)和膜區(qū)構(gòu)成的梁膜區(qū)，所述四個壓敏電阻設置在所述梁區(qū)上，梁區(qū)厚度為膜區(qū)厚度的二倍以上，使得被測介質(zhì)作用于膜區(qū)的壓力會集中到梁區(qū)上，大大的提高了硅彈性膜區(qū)的靈敏度，降低了檢測誤差，并且本實用新型結(jié)構(gòu)簡單合理緊湊、實施方便、成本低，能夠很好的適應行業(yè)發(fā)展的需求。