一種SOI壓力應變計及其制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310719756.7 申請日 -
公開（公告）號 CN103712721B 公開（公告）日 2016-05-11
申請公布號 CN103712721B 申請公布日 2016-05-11
分類號 G01L1/18(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 沈紹群;羅小勇;梁棟漢;阮炳權 申請（專利權）人 上海旦宇傳感器科技有限公司
代理機構 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 代理人 馮劍明
地址 529100 廣東省江門市新會區(qū)會城西門路圭峰高科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種SOI壓力應變計及其制作方法，所述應變計的硅襯底為單晶硅或多晶硅材料，在硅襯底表面形成二氧化硅絕緣薄膜，在絕緣薄膜表面再形成單晶硅或多晶硅薄膜作為力敏電阻制作材料，通過半導體平面工藝形成2個或4個電學性能完全絕緣的力敏電阻，通過內(nèi)金屬引線把力敏電阻連接成半橋或全橋惠斯頓電路。金屬內(nèi)引線是在摻濃硼的單晶硅或多晶硅層表面行走。二氧化硅絕緣薄膜電阻率高達1015Ω-cm，保證力敏電阻之間沒有電泄漏。因此可用于工作溫度高達300℃以上的軍事工業(yè)上。由于采用了高濃度的單晶硅或多晶硅材料制作力敏電阻，所以靈敏度和零點的溫度系數(shù)達到了10-6VB/℃以上。具有高溫低漂移的優(yōu)良特性。