一種強(qiáng)穩(wěn)固性晶圓級(jí)扇出集成芯片和無(wú)源器件的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202121565744.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN214848593U 公開(kāi)（公告）日 2021-11-23
申請(qǐng)公布號(hào) CN214848593U 申請(qǐng)公布日 2021-11-23
分類(lèi)號(hào) H01L23/31（2006.01）I;H01L23/29（2006.01）I;H01L25/16（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊文濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京華恒專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 裴素艷
地址 210000江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雙峰路69號(hào)A-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種強(qiáng)穩(wěn)固性晶圓級(jí)扇出集成芯片和無(wú)源器件的封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片、無(wú)源器件、再鈍化層、再分布線層及凸塊下金屬化層；芯片和無(wú)源器件的數(shù)量均為至少一個(gè)，芯片和無(wú)源器件表面分別封壓有ABF膜，所述ABF膜上層包覆有塑封料層，所述塑封料層表面封壓有支撐晶圓；再鈍化層和再分布線層位于芯片壓區(qū)、無(wú)源器件壓區(qū)與凸塊下金屬化層之間，所述再鈍化層和再分布線層的一端與芯片壓區(qū)、無(wú)源器件壓區(qū)接觸，另一端通過(guò)焊球凸點(diǎn)與凸塊下金屬化層耦合。本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)了晶圓級(jí)扇出異構(gòu)封裝芯片和電容電感，減小了芯片和無(wú)源器件的封裝尺寸、提高了封裝效率并且縮短了整個(gè)封裝流程。