一種光刻方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110897743.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)(公告)號(hào) CN113608415A 公開(kāi)(公告)日 2021-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN113608415A 申請(qǐng)公布日 2021-11-05
分類號(hào) G03F7/20(2006.01)I;G03F7/16(2006.01)I 分類 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕;
發(fā)明人 雷文強(qiáng) 申請(qǐng)(專利權(quán))人 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京禾易知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 張松云
地址 211800江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開(kāi)發(fā)區(qū)雙峰路69號(hào)A-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提出了一種光刻方法,于玻璃晶圓上設(shè)置有若干以劃片槽隔開(kāi)的芯片區(qū)域,所述芯片區(qū)域包括芯片內(nèi)開(kāi)口區(qū)域以及芯片邊緣無(wú)開(kāi)口區(qū)域,包括如下步驟:S1、涂膠:于玻璃晶圓表面涂覆光刻膠形成光刻膠薄膜;S2、曝光:劃分曝光區(qū)域,所述曝光區(qū)域包括第一曝光區(qū)以及第二曝光區(qū),所述第一曝光區(qū)為芯片區(qū)域,所述第二曝光區(qū)為芯片邊緣無(wú)開(kāi)口區(qū)域,于第一曝光區(qū)進(jìn)行一次曝光,于第二曝光區(qū)進(jìn)行二次曝光,所述二次曝光的曝光能量低于一次曝光的曝光能量;S3、顯影:將經(jīng)二次曝光后的玻璃晶圓進(jìn)行顯影。本發(fā)明于曝光過(guò)程中,以不同的曝光能量曝光芯片不同區(qū)域,可給予芯片開(kāi)口區(qū)域以足夠曝光能量,同時(shí)避免芯片邊緣無(wú)開(kāi)口區(qū)域因曝光能量過(guò)強(qiáng)而形成殘膠。