一種UBM跨越式晶圓級封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120662281.2 申請日 -
公開（公告）號 CN214588835U 公開（公告）日 2021-11-02
申請公布號 CN214588835U 申請公布日 2021-11-02
分類號 H01L23/488（2006.01）I;H01L23/31（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張杰 申請（專利權(quán)）人 江蘇芯德半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 南京華恒專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 宋方園
地址 210032江蘇省南京市浦口區(qū)浦口經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)雙峰路69號A-11
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種UBM跨越式晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，包括芯片基層，所述芯片基層包含正表面和背表面，在正表面上設(shè)有第一壓區(qū)和第二壓區(qū)，在第一壓區(qū)和第二壓區(qū)之間設(shè)有第三壓區(qū)單元，第三壓區(qū)單元包含至少一個(gè)壓區(qū)；凸塊下金屬化層，所述凸塊下金屬化層的接觸端與至少和第一壓區(qū)和第二壓區(qū)連接，所述凸塊下金屬化層上方有焊接凸點(diǎn)；鈍化層，所述鈍化層形成與芯片基層的正表面，所述凸塊下金屬化層下方設(shè)有可跨越單個(gè)或多個(gè)再布線層。本發(fā)明的一種UBM跨越式晶圓級封裝結(jié)構(gòu)，UBM跨越再布線層（RDL層）或再鈍化層（Repassivation）互聯(lián)導(dǎo)通芯片不同區(qū)域壓區(qū)的晶圓級封裝新型結(jié)構(gòu)，簡化了晶圓級封裝的工藝流程。