一種新型瞬態(tài)響應(yīng)增強LDO
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110102480.2 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112732000A | 公開(公告)日 | 2021-04-30 |
申請公布號 | CN112732000A | 申請公布日 | 2021-04-30 |
分類號 | G05F1/56 | 分類 | 控制;調(diào)節(jié); |
發(fā)明人 | 倪燦燦 | 申請(專利權(quán))人 | 燦芯半導(dǎo)體(上海)股份有限公司 |
代理機構(gòu) | 蘇州創(chuàng)策知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 顏海良 |
地址 | 201203 上海市浦東新區(qū)中國(上海)自由貿(mào)易試驗區(qū)張東路1158號禮德國際2號樓6樓 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種新型瞬態(tài)響應(yīng)增強LDO,包括誤差放大器EA、調(diào)整管MP、反饋電阻網(wǎng)絡(luò)RA和RB、反饋電容CA以及負載電容CL和負載電阻Rout;誤差放大器EA和調(diào)整管MP的柵極之間連接有瞬態(tài)響應(yīng)增強電路TRANSIENTENHANGCE,TRANSIENTENHANGCE包括遲滯比較器、ONE_SHOT以及兩個NMOS管MN1、MN2;采用遲滯比較器對誤差放大器EA的輸入差分對管的漏極電壓進行采集比較,得到的比較結(jié)果通過ONE_SHOT消除毛刺,提高了瞬態(tài)增強的抗噪聲性能;再通過NMOS管對調(diào)整管MP的柵極電壓進行調(diào)節(jié),從而達到增強負載瞬態(tài)響應(yīng)的作用。 |
