一種基于二維碲化鉬的同質(zhì)異相光電探測器的制備及應(yīng)用

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210269277.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114695597A 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN114695597A 申請公布日 2022-07-01
分類號 H01L31/18（2006.01）I;C23C14/04（2006.01）I;C23C14/18（2006.01）I;C23C14/26（2006.01）I;C23C14/30（2006.01）I;H01L31/0296（2006.01）I;H01L31/103（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 南海燕;張浩哲;肖少慶;顧曉峰 申請（專利權(quán)）人 江南大學(xué)
代理機構(gòu) 哈爾濱市陽光惠遠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 -
地址 214122江蘇省無錫市濱湖區(qū)錦溪大道99號江南大學(xué)國家大學(xué)科技園
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于二維碲化鉬的同質(zhì)異相光電探測器的制備方法及其應(yīng)用手段，屬于半導(dǎo)體器件領(lǐng)域。本發(fā)明所述的制備碲化鉬同質(zhì)異相光電探測器的方法包括如下步驟：先通過機械剝離與轉(zhuǎn)移技術(shù)將MoTe2轉(zhuǎn)移至硅基襯底上；之后通過光刻將MoTe2的兩端暴露在環(huán)境中；接著使用氧氣等離子體處理被光刻膠覆蓋的MoTe2襯底，其中MoTe2兩端發(fā)生相變而溝道處未發(fā)生相變；最后在兩端蒸鍍電極，得到所述的碲化鉬同質(zhì)異相光電探測器。本發(fā)明所述的碲化鉬同質(zhì)異相光電探測器的應(yīng)用包括如下領(lǐng)域：載流子遷移率、開關(guān)比、不同波長可見光及940nm近紅外光下的光電流及光響應(yīng)。本發(fā)明的制備方法簡單，且制備的光電探測器具有高遷移率、高開關(guān)比、高光電流及高響應(yīng)度的性能。