一種半導(dǎo)體激光器芯片失效分析方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011033121.8 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN112179919A 公開（公告）日 2021-01-05
申請公布號(hào) CN112179919A 申請公布日 2021-01-05
分類號(hào) G01N21/956;G01N23/2251;G01N23/00;G01N21/66;G01R31/28 分類 測量；測試;
發(fā)明人 王寶超;任占強(qiáng);李喜榮;趙永超;李斌 申請（專利權(quán)）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 西安立芯光電科技有限公司
地址 710077 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號(hào)2號(hào)樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光器芯片失效分析方法，目的是解決現(xiàn)有方法難以準(zhǔn)確分析和判斷半導(dǎo)體激光器芯片失效原因的問題。該方法包括：步驟一、物理缺陷檢查；步驟二、光電性能測試；步驟三、腔面光場分布測試；步驟四、掃描電子顯微鏡分析；步驟五、內(nèi)部分析；步驟六、焊接質(zhì)量分析。本發(fā)明方法是一種逐層遞進(jìn)、由外及內(nèi)的失效分析方法，可快速找出COS芯片失效的原因及失效的深層機(jī)理。