一種氧化增光二極管制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011459843.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112563378A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-26 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112563378A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-26 |
| 分類號(hào) | H01L33/26(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 夏黎明;李青民;任占強(qiáng);李喜榮;王寶超;張超奇;孫丞;李波 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 西安立芯光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 鄭麗紅 |
| 地址 | 710077陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號(hào)2號(hào)樓1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種氧化增光二極管制作方法，解決現(xiàn)有二極管制作方法存在氧化不均勻、串聯(lián)電阻高、造成產(chǎn)品分類多、循環(huán)次數(shù)較多等問(wèn)題。該方法包括：步驟一、在GaAs襯底上生長(zhǎng)外延結(jié)構(gòu)，在進(jìn)行AlAs生長(zhǎng)時(shí)，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步驟二、制作正面金屬電極；步驟三、制作背面金屬；步驟四、圖形制作；步驟五、在350～450℃、保護(hù)氣體環(huán)境下進(jìn)行退火；步驟六、進(jìn)行切割；步驟七、進(jìn)行AlAs氧化，氧化氣體條件：在保護(hù)氣體環(huán)境下增加水蒸氣，混氣出口溫度90～100℃；步驟八、進(jìn)行芯片測(cè)試。本發(fā)明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得產(chǎn)品氧化均勻性提高，同時(shí)AlAs氧化后變成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。?? |
