一種氧化增光二極管制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011459843.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112563378A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563378A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L33/26(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/40(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏黎明;李青民;任占強;李喜榮;王寶超;張超奇;孫丞;李波 申請（專利權(quán)）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 鄭麗紅
地址 710077陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種氧化增光二極管制作方法，解決現(xiàn)有二極管制作方法存在氧化不均勻、串聯(lián)電阻高、造成產(chǎn)品分類多、循環(huán)次數(shù)較多等問題。該方法包括：步驟一、在GaAs襯底上生長外延結(jié)構(gòu)，在進行AlAs生長時，TMAl中增加40～100PPM的氧元素；步驟二、制作正面金屬電極；步驟三、制作背面金屬；步驟四、圖形制作；步驟五、在350～450℃、保護氣體環(huán)境下進行退火；步驟六、進行切割；步驟七、進行AlAs氧化，氧化氣體條件：在保護氣體環(huán)境下增加水蒸氣，混氣出口溫度90～100℃；步驟八、進行芯片測試。本發(fā)明方法在TMAl中加入少量的氧元素，使得產(chǎn)品氧化均勻性提高，同時AlAs氧化后變成Al2O3，折射率由3.09降低到1.77，增加ΔN，提高了器件性能。??