一種半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法及合束裝置
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202011032905.9 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112164975A | 公開(公告)日 | 2021-08-17 |
申請公布號 | CN112164975A | 申請公布日 | 2021-08-17 |
分類號 | H01S5/00;G02B6/42 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 李青民;李波;任占強(qiáng);孫翔;南瑤 | 申請(專利權(quán))人 | 西安立芯光電科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 鄭麗紅 |
地址 | 710077 陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法及合束裝置,目的是解決現(xiàn)有激光器合束方式存在合束激光能量低以及功率光束質(zhì)量比低的問題。該半導(dǎo)體激光器芯片的合束方法包括:步驟一、在光纖包層表面制作衍射結(jié)構(gòu),同時在光纖一端制作全反射膜;步驟二、將多個半導(dǎo)體激光器芯片設(shè)置在光纖包層外側(cè);步驟三、半導(dǎo)體激光器芯片發(fā)出的光經(jīng)布滿衍射結(jié)構(gòu)的光纖包層進(jìn)入光纖纖芯,最終從光纖另一端輸出,從而實(shí)現(xiàn)激光合束。 |
