一種二極管外延結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011459828.5 申請日 -
公開（公告）號 CN112563376A 公開（公告）日 2021-03-26
申請公布號 CN112563376A 申請公布日 2021-03-26
分類號 H01L33/14(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 夏黎明;李青民;任占強(qiáng);李波;李會(huì)利;杜美本 申請（專利權(quán)）人 西安立芯光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 鄭麗紅
地址 710077陜西省西安市高新區(qū)丈八六路56號2號樓1層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種二極管外延結(jié)構(gòu)，解決現(xiàn)有二極管外延結(jié)構(gòu)存在波導(dǎo)折射率較低、光損耗較大的問題。該二極管外延結(jié)構(gòu)包括由下至上依次設(shè)置的N型GaAs襯底層、N型GaAs緩沖層、N型AlXGa(1?X)As下限值層、AlXGa(1?X)As波導(dǎo)層、GaYIn(1?Y)As量子阱層、GaAs量子壘層、GaYIn(1?Y)As量子阱層、GaAs量子壘層、AlXGa(1?X)As波導(dǎo)層、P型AlXGa(1?X)As下限制層、P型AlXGa(1?X)As下限制層、P型AlXGa(1?X)As下限制層、P型GaAs電流擴(kuò)展層和P型GaAs電極接觸層。該結(jié)構(gòu)降低了波導(dǎo)勢壘，增加了波導(dǎo)的折射率，增強(qiáng)波導(dǎo)對光的束縛性，從而提高了器件的發(fā)光效率。??