去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201210119563.3 申請日 -
公開（公告）號 CN102674365A 公開（公告）日 2012-09-19
申請公布號 CN102674365A 申請公布日 2012-09-19
分類號 C01B33/037(2006.01)I 分類 無機化學(xué);
發(fā)明人 張海霞;張海軍;車永軍;田鵬 申請（專利權(quán)）人 錦州新世紀(jì)能源科技集團有限公司
代理機構(gòu) 錦州遼西專利事務(wù)所 代理人 錦州新世紀(jì)石英（集團）有限公司
地址 121000 遼寧省錦州市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)天王路
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種去除多晶硅中金屬雜質(zhì)的方法，具體步驟如下：將工業(yè)硅投入坩堝；降低爐膛內(nèi)壓力至10Pa以下；啟動加熱裝置，將工業(yè)硅全部融化后，緩慢調(diào)低加熱溫度至熔融的工業(yè)硅的溫度保持在1420℃～1421℃之間；向爐膛內(nèi)充入保護氣體；將石墨氣冷裝置插入熔融的工業(yè)硅中，向石墨氣冷裝置中通入保護氣體，當(dāng)石墨氣冷裝置表面的多晶硅的厚度為20mm～50mm時，將石墨氣冷裝置取出；將取石墨氣冷裝置上的硅敲下至盛放容器中；反復(fù)提取至石墨氣冷裝置用于析出多晶硅的部分不能完全插入熔融的工業(yè)硅中。優(yōu)點是：耗能少、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本低、操作簡單。