聲表面波晶片級封裝及其制造方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202110756802.5 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN113904649A | 公開（公告）日 | 2022-01-07 |
| 申請公布號 | CN113904649A | 申請公布日 | 2022-01-07 |
| 分類號 | H03H9/02（2006.01）I;H03H3/08（2006.01）I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 張碩煥;金炳學;李昶燁 | 申請（專利權(quán)）人 | 天津威盛電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京市隆安律師事務所 | 代理人 | 權(quán)鮮枝 |
| 地址 | 韓國京畿道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開了一種聲表面波（SAW）晶片級封裝，包括：基板；形成在基板上的叉指式換能器（IDT）；沿IDT外圍形成在基板上的側(cè)壁；形成在側(cè)壁和IDT上方以與側(cè)壁在IDT上方形成中空部的蓋；連接電極，其形成在基板上，與IDT電連接并從側(cè)壁的外圍向外延伸；連接端子，其電連接到連接電極的從側(cè)壁的外圍向外延伸的部分，形成為遍及側(cè)壁的一個外表面以及蓋的一個表面和頂表面的一部分，并且具有形成為高于蓋的頂表面的頂表面；以及有機可焊性防腐（OSP）涂層，其至少形成在連接端子的頂表面上。 |
