采用薄膜密封的薄膜型體聲波諧振器封裝及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110295765.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN114070239A 公開（公告）日 2022-02-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN114070239A 申請(qǐng)公布日 2022-02-18
分類號(hào) H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 張晉寧;掘露伊保龍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津威盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 代理人 朱健
地址 韓國京畿道烏山市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 適用本發(fā)明的采用薄膜密封的薄膜型體聲波諧振器封裝的制造方法，包括：在基板的上側(cè)形成包括下部電極、壓電層以及上部電極的薄膜型體聲波諧振器的步驟；形成與上述薄膜型體聲波諧振器的上部電極以及下部電極電氣連接的多個(gè)內(nèi)部板電極的步驟；在上述內(nèi)部板電極的上側(cè)粘接合成樹脂（PR）膜的步驟；通過對(duì)上述合成樹脂（PR）膜進(jìn)行蝕刻而露出上述內(nèi)部板電極的步驟；以及，在上述合成樹脂（PR）膜以及露出的內(nèi)部板電極的上部形成密封層的步驟。通過本發(fā)明，可以提供與現(xiàn)有的晶圓級(jí)封裝（WLP）方式相比改善其防透濕性能并將封裝的厚度減小1/2的薄膜型體聲波諧振器（FBAR）封裝。