聲表面波晶片級(jí)封裝
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011355746.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112865739A | 公開（公告）日 | 2021-05-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112865739A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-05-28 |
| 分類號(hào) | H03H9/02(2006.01)I;H03H9/64(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 李昶燁;張碩煥;河真鎬;金炳學(xué) | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津威盛電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市隆安律師事務(wù)所 | 代理人 | 權(quán)鮮枝 |
| 地址 | 韓國京畿道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種聲表面波晶片級(jí)封裝包括：基板；叉指式換能器(IDT)電極，其形成在所述基板上；連接電極，其電連接到所述IDT電極；側(cè)壁，其形成在所述基板上并且在所述IDT電極外部；蓋，其形成在所述側(cè)壁和所述IDT電極的上方，與所述側(cè)壁一起在所述IDT電極上形成腔；連接端子，其電連接到所述連接電極并在所述蓋的上方突出；第一增強(qiáng)層，其形成在所述蓋上，在垂直方向上至少部分地與所述腔重疊；第二增強(qiáng)層，其形成為覆蓋所述蓋和所述第一增強(qiáng)層，并且具有形成在與所述連接端子相對(duì)應(yīng)的部分和與所述第一增強(qiáng)層相對(duì)應(yīng)的部分中的孔；以及凸塊，其形成在所述第二增強(qiáng)層的各個(gè)孔中，在所述第二增強(qiáng)層上方突出。?? |
