改善電力容差特性的薄膜體聲波諧振器芯片封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110138420.6 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN114094974A 公開（公告）日 2022-02-25
申請公布號(hào) CN114094974A 申請公布日 2022-02-25
分類號(hào) H03H9/02（2006.01）I;H03H9/17（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 金泳勛 申請（專利權(quán)）人 天津威盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京冠和權(quán)律師事務(wù)所 代理人 朱健
地址 韓國京畿道烏山市
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 適用本發(fā)明之一實(shí)施例的改善電力容差特性的薄膜體聲波諧振器芯片封裝結(jié)構(gòu)，包括：第1基板，形成有包括下部電極、壓電層以及上部電極的多個(gè)薄膜體聲波諧振器，以及與上述下部電極或上部電極連接的第1焊接焊盤；以及，第2基板，包括貫通基板的多個(gè)導(dǎo)通孔，在上述各個(gè)導(dǎo)通孔兩端的與上述第1基板相向的面上形成有第2焊接焊盤，而在不與上述第1基板相向的面上形成有多個(gè)外部連接焊盤；通過本發(fā)明，可以提供與現(xiàn)有方式相比改善電力容差特性的薄膜體聲波諧振器芯片封裝結(jié)構(gòu)，還可以同時(shí)滿足薄膜體聲波諧振器（FBAR）芯片結(jié)構(gòu)及封裝的電力容差性能以及封裝小型化需求。