氣隙型FBAR
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110297798.0 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN114499449A | 公開（公告）日 | 2022-05-13 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114499449A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-05-13 |
| 分類號(hào) | H03H9/17（2006.01）I;H03H9/25（2006.01）I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 金炳憲;樸鐘賢 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 天津威盛電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京市隆安律師事務(wù)所 | 代理人 | - |
| 地址 | 韓國京畿道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開了一種氣隙型薄膜體聲波諧振器（FBAR），包括：襯底，在頂部表面包括氣隙部分；下電極，在所述襯底上方，具有多邊形板形狀，并且被配置成圍繞所述氣隙部分的頂部；壓電層，形成在所述下電極上方；以及上電極，形成在所述壓電層上方。其中，所述下電極包括形成在所述多邊形板的一側(cè)板邊界表面和所述氣隙部分的一側(cè)氣隙邊界表面之間的電極非沉積區(qū)域，以暴露所述氣隙部分的頂部的一部分。 |
