氣隙式膜體聲諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011173037.6 申請日 -
公開（公告）號 CN112737539A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN112737539A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H03H9/02;H03H9/17 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 金炳憲;高庸熏;文雅英 申請（專利權(quán)）人 天津威盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市隆安律師事務(wù)所 代理人 權(quán)鮮枝
地址 韓國京畿道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 提供一種氣隙式膜體聲諧振器(FBAR)。該氣隙式FBAR包括：基板，其包括氣隙部分，該氣隙部分具有形成在頂表面中的基板腔；下電極，其形成在所述基板上；壓電層，其形成在所述下電極上并且其一側(cè)在根據(jù)所述氣隙部分的垂直投影的虛擬邊緣附近形成邊緣部分；上電極，其形成在所述壓電層上；第一電極框架，其包括在平面中的開環(huán)結(jié)構(gòu)，該開環(huán)結(jié)構(gòu)圍繞所述下電極上的所述壓電層的外周的一部分；以及第二電極框架，其定位在所述上電極上并鄰近所述開環(huán)結(jié)構(gòu)的開口部分。