氣隙式膜體聲諧振器
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010839372.9 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN112398459A | 公開（公告）日 | 2021-02-23 |
| 申請公布號 | CN112398459A | 申請公布日 | 2021-02-23 |
| 分類號 | H03H9/17(2006.01)I;H03H3/02(2006.01)I | 分類 | 基本電子電路; |
| 發(fā)明人 | 金炳憲;樸鐘賢;高庸熏;金炯佑 | 申請（專利權）人 | 天津威盛電子有限公司 |
| 代理機構 | 北京市隆安律師事務所 | 代理人 | 權鮮枝 |
| 地址 | 韓國京畿道 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開一種氣隙式膜體聲諧振器(FBAR)，包括：基板，其包括具有頂表面的氣隙部分，在該氣隙部分中形成基板腔；下電極，其形成在所述基板上方，同時圍繞所述氣隙部分；壓電層，其形成在所述下電極上方；以及上電極，其形成在所述壓電層上方，對應于根據(jù)所述氣隙部分的垂直投影形成的虛擬區(qū)域。這里，所述壓電層包括在所述下電極和所述上電極之間具有壓電腔的空隙部分，并且所述空隙部分形成在與所述上電極的端部相對應的邊緣部分下方。?? |
