氣隙型薄膜體聲波諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110301636.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114070250A 公開（公告）日 2022-02-18
申請公布號 CN114070250A 申請公布日 2022-02-18
分類號 H03H9/17（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 高庸熏;金炳憲;韓相瀷 申請（專利權(quán)）人 天津威盛電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京市隆安律師事務(wù)所 代理人 權(quán)鮮枝
地址 韓國京畿道
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 公開了一種氣隙型薄膜體聲波諧振器（FBAR），包括：襯底，包括氣隙部分，所述氣隙部分具有襯底腔并且形成在頂部表面中；下電極，形成在所述襯底上方；壓電層，形成在所述下電極上方；以及上電極，形成在所述壓電層上方，并且其一側(cè)的電極邊緣被形成為與所述氣隙部分的側(cè)壁的垂直虛擬邊界鄰近。其中，所述壓電層包括形成在所述電極邊緣下方的壓電腔。