一種低溫共燒陶瓷基板空腔結構的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201710847497.4 申請日 -
公開（公告）號 CN107591336B 公開（公告）日 2019-11-15
申請公布號 CN107591336B 申請公布日 2019-11-15
分類號 H01L21/48 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬名生;林琳;劉志甫;李永祥 申請（專利權）人 橫店影視制作有限公司
代理機構 上海瀚橋專利代理事務所（普通合伙） 代理人 中國科學院上海硅酸鹽研究所;橫店集團控股有限公司;浙江矽瓷科技有限公司
地址 200050上海市長寧區(qū)定西路1295號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明的低溫共燒陶瓷基板空腔結構的制備方法，具備如下步驟：將LTCC生瓷帶切割成LTCC生瓷片，然后將切割好的多片LTCC生瓷片依次進行第一階段疊層，從而分別形成上層蓋板、子層板和下層板；將子層板與下層板進行第二階段疊層，從而形成合層板；將上層蓋板和合層板進行第三階段疊層，從而形成帶有空腔結構的LTCC巴塊；對LTCC巴塊進行切割后得到LTCC基板素坯，然后將LTCC基板素坯進行燒結；第三階段疊層的工藝中的疊層壓力、溫度和時間均小于第一和第二階段疊層的工藝中的參數(shù)。根據(jù)本發(fā)明，極大降低了帶有空腔結構的低溫共燒陶瓷基板的制造成本，有利于低溫共燒陶瓷基板空腔結構的批量化生產(chǎn)。