一種低空洞率的倒裝LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202120078301.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN214411241U 公開（公告）日 2021-10-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN214411241U 申請(qǐng)公布日 2021-10-15
分類號(hào) H01L33/62（2010.01）I;H01L33/64（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范凱平;曠明勝;徐亮;仇美懿;何俊聰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 胡楓;李素蘭
地址 528200廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)光明大道18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種低空洞率的倒裝LED芯片，所述倒裝LED芯片包括襯底、設(shè)于襯底上的發(fā)光結(jié)構(gòu)、設(shè)于發(fā)光結(jié)構(gòu)上的電極，還包括設(shè)于電極上的焊接層、以及設(shè)于焊接層上的點(diǎn)測(cè)接觸層；所述焊接層為疊層結(jié)構(gòu)，包括多層Sn/Au疊層；或者，所述焊接層為疊層結(jié)構(gòu)，包括多層Sn/AuSn疊層；或者，所述焊接層為疊層結(jié)構(gòu)，包括多層AuSn層。本實(shí)用新型的倒裝LED芯片，空洞率低，良率高。