一種高亮度LED芯片

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202022331287.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN213988914U 公開（公告）日 2021-08-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN213988914U 申請(qǐng)公布日 2021-08-17
分類號(hào) H01L33/36（2010.01）I;H01L33/40（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 仇美懿;李進(jìn) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 佛山市國(guó)星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 胡楓;李素蘭
地址 528200廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)光明大道18號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種高亮度LED芯片，包括襯底、設(shè)于襯底上的外延層、以及設(shè)于外延層上的電極結(jié)構(gòu)，所述電極結(jié)構(gòu)包括電流擴(kuò)展條、焊盤和連接層，所述電流擴(kuò)展條和焊盤設(shè)于外延層上，所述連接層設(shè)于電流擴(kuò)展條連接段上并與焊盤連接，所述焊盤和連接層的結(jié)構(gòu)相同并同時(shí)形成；所述電流擴(kuò)展條包括依次設(shè)置的底層、反射層、第一保護(hù)層、第二保護(hù)層和打線層，其中，所述底層由ITO制成，所述反射層由Ag制成，所述第一保護(hù)層由TiW制成，所述第二保護(hù)層由Pt制成，所述打線層由Au制成。本實(shí)用新型采用高強(qiáng)度的焊盤和連接層、以及高反射率的電流擴(kuò)展條相結(jié)合來組成電極結(jié)構(gòu)，發(fā)揮兩者的優(yōu)點(diǎn)，既可以提高芯片的亮度和電流擴(kuò)展性，又不影響封裝打線。