一種GaN基紫外探測器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202022663205.1 申請日 -
公開（公告）號 CN213988897U 公開（公告）日 2021-08-17
申請公布號 CN213988897U 申請公布日 2021-08-17
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/09（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 崔永進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 胡楓;李素蘭
地址 528200廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)光明大道18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了一種GaN基紫外探測器，包括襯底；多個(gè)隔開設(shè)置在襯底上的吸收晶體層，所述吸收晶體層由GaN制成；將所有吸收晶體層形成導(dǎo)電連接的電極，所述電極包括接觸層和導(dǎo)電層，所述接觸層設(shè)于吸收晶體層和導(dǎo)電層之間，其中，所述接觸層由金屬活動(dòng)性φA/V大于0.9eV的金屬制成；所述導(dǎo)電層由紫外光可穿透的導(dǎo)電金屬材料制成。本實(shí)用新型的電極采用金屬活動(dòng)性低的金屬來制成接觸層，以及采用高導(dǎo)電率和紫外光吸收率低的金屬來制成導(dǎo)電層來形成金屬疊層結(jié)構(gòu)，在減少電極對紫外光吸收和降低線阻的同時(shí)，減少歐姆接觸，達(dá)到最佳優(yōu)化的電極結(jié)構(gòu)來增強(qiáng)本實(shí)用新型GaN基紫外探測器對紫外光光致電流反應(yīng)。