一種基于GaN微米線陣列光探測器芯片叉指電極、光探測器芯片及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110640050.6 申請日 -
公開（公告）號 CN113451427A 公開（公告）日 2021-09-28
申請公布號 CN113451427A 申請公布日 2021-09-28
分類號 H01L31/0224（2006.01）I;H01L31/108（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 單志遠(yuǎn);鄭洪仿;陳凱;范凱平;陸紹堅;崔永進(jìn) 申請（專利權(quán)）人 佛山市國星半導(dǎo)體技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清控智云知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（特殊普通合伙） 代理人 仵樂娟
地址 528226廣東省佛山市南海區(qū)獅山鎮(zhèn)羅村朗沙廣東新光源產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)光明大道18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于GaN微米線陣列光探測器芯片叉指電極及其制備方法，該叉指電極以特定的方向位于GaN微米線陣列表面，為肖特基接觸的合金電極層，該合金電極層由依次層疊的金屬肖特基接觸層、金屬加厚層、金屬黏附層和金屬抗氧化層組成；形狀上，該叉指電極由高縱橫比的雙溝道三指頭和一對方形pad圖形組成，其中第一和第二指頭分別連接至第一方形pad圖形的兩端側(cè)，第三指頭連接至第二方形pad圖形的中部，第一方形pad圖形和第二方形pad圖形相對設(shè)置，第三指頭設(shè)置于第一、第二指頭之間。金屬層的設(shè)置提升了其與GaN微米線之間的粘附力，器件的成品率高，且高的縱橫比提升了器件響應(yīng)度和響應(yīng)速率，降低了暗電流。