一種高性能BaSnO

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110492923.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113066858A 公開（公告）日 2021-07-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN113066858A 申請(qǐng)公布日 2021-07-02
分類號(hào) H01L29/24（2006.01）I;H01L29/43（2006.01）I;H01L29/786（2006.01）I;H01L21/34（2006.01）I;H01L21/36（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 姚建可;唐杰;湯皎寧 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳戴爾蒙德科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 518000廣東省深圳市福田區(qū)福保街道福保社區(qū)桃花路6號(hào)騰飛工業(yè)大廈A棟3層301-303
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種高性能BaSnO3基透明導(dǎo)電薄膜和薄膜晶體管及其制備技術(shù)，屬于新型顯示材料技術(shù)領(lǐng)域，該技術(shù)采用陰極電弧法，以BaSnO3氧化物靶或BaSn合金靶進(jìn)行制備；首先，本發(fā)明公開了制備高性能BaSnOx透明導(dǎo)電薄膜和薄膜晶體管有源層。其次，公開了在玻璃基底原位生長得到高電導(dǎo)率BaInSnOx透明導(dǎo)電薄膜或高遷移率BaInSnOx有源層；再用等離子體后處理或準(zhǔn)分子激光退火薄膜；所得薄膜電導(dǎo)率將大于10xS/cm，可以作為TFTs源/漏電極應(yīng)用。最后還公開了以上述工藝制備得到BaInSnO3有源層，制備共面同質(zhì)結(jié)底柵結(jié)構(gòu)TFTs，激光退火制備底柵結(jié)構(gòu)TFTs和自對(duì)準(zhǔn)底柵結(jié)構(gòu)TFTs的工藝，上述三種TFTs的場效應(yīng)遷移率將大于10cm4/V.s，并具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性，使得BaSnO基薄膜可替代InGaZnO薄膜，在TFTs和新型顯示器中得到應(yīng)用。