硅基復合負極材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010604043.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111816852B 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN111816852B 申請公布日 2022-04-29
分類號 H01M4/36（2006.01）I;H01M4/38（2006.01）I;H01M4/62（2006.01）I;H01M10/0525（2010.01）I;D01F9/10（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張健;趙前進;徐斌 申請（專利權(quán)）人 瑞聲科技（南京）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務所（普通合伙） 代理人 任哲夫
地址 210093江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大學城元化路南大科學園新興產(chǎn)業(yè)孵化基地研發(fā)樓8層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種硅基復合負極材料的制備方法，該方法包括：將硅基原材料處理，得到納米硅基顆粒；將所述納米硅基顆粒進行導電化處理，得到導電性納米硅基顆粒；以所述導電性納米硅基顆粒為內(nèi)核，以高分子材料為外殼，搭建使得所述導電性納米硅基顆?？稍谒鐾鈿?nèi)進行體積變化的構(gòu)殼結(jié)構(gòu)，所述構(gòu)殼結(jié)構(gòu)即為所述硅基復合負極材料。本發(fā)明的硅基復合負極材料依次通過納米化處理、導電化處理以及構(gòu)殼結(jié)構(gòu)搭建，可以實現(xiàn)導電性納米硅基顆粒在外殼的內(nèi)部空間中進行體積變化，從而改善其循環(huán)性能，使得該硅基復合材料具有良好的倍率性能和循環(huán)穩(wěn)定性。