一種壓電薄膜聲學(xué)諧振器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202122961003.X 申請日 -
公開（公告）號 CN216414272U 公開（公告）日 2022-04-29
申請公布號 CN216414272U 申請公布日 2022-04-29
分類號 H03H9/02（2006.01）I 分類 基本電子電路;
發(fā)明人 楊帥;張麗蓉;吳珂;莊智強;王超 申請（專利權(quán)）人 瑞聲科技（南京）有限公司
代理機構(gòu) 深圳市恒申知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鐘連發(fā)
地址 210093江蘇省南京市棲霞區(qū)仙林大學(xué)城元化路南大科學(xué)園新興產(chǎn)業(yè)孵化基地研發(fā)樓8層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型提供了一種壓電薄膜聲學(xué)諧振器，包括襯底、設(shè)置于所述襯底一側(cè)的第一電極、與所述襯底的一側(cè)連接且覆蓋至少部分所述第一電極的壓電薄膜以及設(shè)置于所述壓電薄膜的遠(yuǎn)離第一電極一側(cè)的第二電極，所述第一電極與所述第二電極于所述壓電薄膜的厚度方向的投影至少部分重合，所述第一電極一端沿著所述襯底與所述第一電極連接的表面朝遠(yuǎn)離所述壓電薄膜的方向延伸形成第一引出線，所述第二電極一端朝遠(yuǎn)離所述第一引出線的方向延伸形成第二引出線，所述第一引出線遠(yuǎn)離所述襯底的表面具有第一凸起反射柵，所述第二引出線遠(yuǎn)離所述襯底的表面具有第二凸起反射柵。在提高品質(zhì)因數(shù)的前提下，降低對聲學(xué)性能的影響。