一種低寄生參數(shù)功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120706793.4 申請日 -
公開（公告）號 CN214381606U 公開（公告）日 2021-10-08
申請公布號 CN214381606U 申請公布日 2021-10-08
分類號 H05K1/18（2006.01）I;H05K1/11（2006.01）I;H05K1/14（2006.01）I;H05K3/36（2006.01）I;H05K3/40（2006.01）I;H01L21/52（2006.01）I;H01L21/54（2006.01）I;H01L21/56（2006.01）I;H01L23/14（2006.01）I;H01L23/58（2006.01）I;H01L25/07（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術(shù);
發(fā)明人 黃志召;康勇;陳材;劉新民;熊勇;李宇雄 申請（專利權(quán)）人 武漢羿變電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢瑞創(chuàng)星知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葉小勤
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號武漢新能源研究院大樓G2-1021（自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型提供一種低寄生參數(shù)功率模塊的封裝結(jié)構(gòu)，包括PCB板，所述PCB板內(nèi)置功率電路，所述PCB板包括上下設(shè)置且相互電氣連接的上層PCB板和下層PCB板，位于所述上層PCB板和下層PCB板中的功率電路具有相反的電流流向；覆銅基板，包括絕緣導(dǎo)熱層和覆在絕緣導(dǎo)熱層上表面的DBC銅層，所述PCB板覆在DBC銅層上表面，一功率開關(guān)管芯片固定于所述DBC銅層；所述功率開關(guān)管芯片與所述上層PCB板和所述下層PCB板中的功率電路依次連接構(gòu)成功率回路。所述的封裝結(jié)構(gòu)采用雙層結(jié)構(gòu)，上下PCB板通路中電流方向相反，以互感抵消技術(shù)減小換流回路的寄生電感，雙層PCB板中銅層的屏蔽效應(yīng)減小寄生電容。