一種基于雙脈沖測(cè)試的碳化硅MOSFET關(guān)斷過(guò)程建模方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110367212.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113076712A 公開（公告）日 2021-07-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113076712A 申請(qǐng)公布日 2021-07-06
分類號(hào) G06F30/367（2020.01）I;G06F30/23（2020.01）I;G06F17/13（2006.01）I 分類 計(jì)算；推算；計(jì)數(shù);
發(fā)明人 黃志召;康勇;陳材;劉新民;熊勇;李宇雄 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 武漢羿變電氣有限公司
代理機(jī)構(gòu) 武漢瑞創(chuàng)星知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 葉小勤
地址 430000湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)高新大道999號(hào)武漢新能源研究院大樓G2-1021（自貿(mào)區(qū)武漢片區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種基于雙脈沖測(cè)試的SiC MOSFET關(guān)斷過(guò)程建模方法，包括如下步驟：搭建基于SiC MOSFET的雙脈沖測(cè)試電路；基于所述SiC MOSFET關(guān)斷過(guò)程中的各中間模態(tài)，建立各中間過(guò)程的等效電路；基于各中間過(guò)程的等效電路，建立關(guān)斷過(guò)程的狀態(tài)空間方程組；對(duì)所建立的微分方程組進(jìn)行求解，從而得出基于SiC MOSFET的雙脈沖測(cè)試電路的關(guān)斷過(guò)程模型。本發(fā)明在傳統(tǒng)關(guān)斷模型的基礎(chǔ)上提出了一種新的中間模態(tài)，能夠用于分析極低損耗的關(guān)斷過(guò)程；同時(shí)本模型充分考慮了回路中寄生參數(shù)以及SiC器件本身的非線性參數(shù)，保證了很高的計(jì)算精度。