一種快恢復二極管及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111272922.4 申請日 -
公開（公告）號 CN114023644A 公開（公告）日 2022-02-08
申請公布號 CN114023644A 申請公布日 2022-02-08
分類號 H01L21/329（2006.01）I;H01L21/265（2006.01）I;H01L29/04（2006.01）I;H01L29/36（2006.01）I;H01L29/16（2006.01）I;H01L29/868（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 屈志軍;王榮華;徐四向;吳方軍;張若鴻 申請（專利權(quán)）人 江蘇索力德普半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 無錫華源專利商標事務(wù)所（普通合伙） 代理人 過顧佳
地址 214135江蘇省無錫市新吳區(qū)菱湖大道228號天安智慧城1-607
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種快恢復二極管及其制備方法，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域，該制備方法包括：提供N型低摻雜襯底，在N型低摻雜襯底的第一表面形成終端區(qū)和主結(jié)區(qū)，向主結(jié)區(qū)下方的N型低摻雜襯底中進行離子注入形成N型缺陷層，在N型低摻雜襯底的第二表面進行離子注入形成N型摻雜層。本發(fā)明采用了離子注入的方法在N型低摻雜襯底內(nèi)形成一個N型缺陷薄層作為載流子的復合中心，通過改變pn結(jié)的發(fā)射率及載流子的分布，使得載流子能夠在很短的時間內(nèi)在內(nèi)建電場的驅(qū)動下排出FRD器件體外，從而實現(xiàn)快速的反向恢復；并且通過調(diào)整N型缺陷薄層的濃度分布，還可以改變FRD的軟度因子，改善系統(tǒng)的EMC干擾。