毫米波芯片制作方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011042039.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN112133666A | 公開（公告）日 | 2020-12-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112133666A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-12-25 |
| 分類號(hào) | H01L21/683(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張志國(guó);劉育青;張洋陽(yáng);李少鵬;安國(guó)雨;郭黛翡 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北京國(guó)聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 河北冀華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 北京國(guó)聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司 |
| 地址 | 101399北京市順義區(qū)高麗營(yíng)鎮(zhèn)文化營(yíng)村北(臨空二路1號(hào)) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種毫米波芯片制作方法，包括如下步驟：對(duì)減薄后的晶圓的背面進(jìn)行背面光刻，背面光刻的目的是將背面的分片通道進(jìn)行光刻，將晶圓的有效芯片區(qū)域進(jìn)行保護(hù)；背面光刻采用背面分片光刻版將芯片的正面和背面進(jìn)行雙面對(duì)準(zhǔn)，然后露出背面分片通道；下一步采取化學(xué)氣體刻蝕的方法，將無光刻膠保護(hù)的背面分片區(qū)域進(jìn)行刻蝕，直至刻蝕到保護(hù)蠟區(qū)域，刻蝕完畢后，進(jìn)行光刻膠的去除工藝；當(dāng)背面刻蝕完畢并將背面的光刻膠去除后，將已經(jīng)減薄的待取芯片晶圓放置在取片裝置上，將保護(hù)蠟融掉，分立的芯片將在自身重力的作用下自動(dòng)落入到取片裝置上。通過所述方法制備的芯片沒有崩邊或者毛刺，質(zhì)量高。?? |
