碳化硅高溫退火表面保護(hù)的制作方法及碳化硅功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811391524.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109494150A 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN109494150A 申請公布日 2021-06-08
分類號 H01L21/04;H01L21/324 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李波;胡澤先;劉亞亮;秦龍;張力江 申請（專利權(quán)）人 北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊國為知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 趙寶琴
地址 050051 河北省石家莊市合作路113號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅高溫退火表面保護(hù)的制作方法及碳化硅功率器件，屬于半導(dǎo)體器件制備技術(shù)領(lǐng)域，包括：在碳化硅圓片表面沉積二氧化硅介質(zhì)作為離子注入的散射層；在二氧化硅介質(zhì)表面涂覆光刻膠，并對注入?yún)^(qū)域進(jìn)行曝光、顯影，露出二氧化硅介質(zhì)；對碳化硅圓片進(jìn)行離子注入；去除光刻膠；去除二氧化硅介質(zhì)；在碳化硅圓片表面沉積類金剛石薄膜為高溫退火的保護(hù)層；對圓片進(jìn)行高溫退火；去除類金剛石薄膜。本發(fā)明提供的碳化硅高溫退火表面保護(hù)的制作方法，通過沉積類金剛石薄膜對碳化硅進(jìn)行表面保護(hù)，類金剛石薄膜能夠作為阻擋層抑制表面處Si的升華和再沉積過程，從而避免退火表面過于粗糙，有效改善芯片表面形貌，提升器件性能和可靠性。