碳化硅高溫退火表面保護的制作方法及碳化硅功率器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811391524.2 申請日 -
公開（公告）號 CN109494150B 公開（公告）日 2021-06-08
申請公布號 CN109494150B 申請公布日 2021-06-08
分類號 H01L21/04;H01L21/324 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李波;胡澤先;劉亞亮;秦龍;張力江 申請（專利權）人 北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司
代理機構 石家莊國為知識產(chǎn)權事務所 代理人 許小榮
地址 101300 北京市順義區(qū)高麗營鎮(zhèn)文化營村北（臨空二路1號）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種碳化硅高溫退火表面保護的制作方法及碳化硅功率器件，屬于半導體器件制備技術領域，包括：在碳化硅圓片表面沉積二氧化硅介質作為離子注入的散射層；在二氧化硅介質表面涂覆光刻膠，并對注入?yún)^(qū)域進行曝光、顯影，露出二氧化硅介質；對碳化硅圓片進行離子注入；去除光刻膠；去除二氧化硅介質；在碳化硅圓片表面沉積類金剛石薄膜為高溫退火的保護層；對圓片進行高溫退火；去除類金剛石薄膜。本發(fā)明提供的碳化硅高溫退火表面保護的制作方法，通過沉積類金剛石薄膜對碳化硅進行表面保護，類金剛石薄膜能夠作為阻擋層抑制表面處Si的升華和再沉積過程，從而避免退火表面過于粗糙，有效改善芯片表面形貌，提升器件性能和可靠性。