新型太赫茲單片的實現(xiàn)方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010730556.1 申請日 -
公開（公告）號 CN111900086A 公開（公告）日 2020-11-06
申請公布號 CN111900086A 申請公布日 2020-11-06
分類號 H01L21/329(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 安國雨;張志國;劉育青;郭黛翡;張洋陽;馮雪琳 申請（專利權(quán)）人 北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司
代理機構(gòu) 石家莊輕拓知識產(chǎn)權(quán)代理事務所（普通合伙） 代理人 北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司
地址 101399北京市順義區(qū)高麗營鎮(zhèn)文化營村北(臨空二路1號)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種新型太赫茲單片的實現(xiàn)方法，涉及太赫茲芯片技術領域。所述方法包括如下步驟：設計太赫茲單片所需要的太赫茲肖特基二極管和太赫茲外圍電路；根據(jù)設計的太赫茲肖特基二極管，制作分立的太赫茲肖特基二極管芯片；根據(jù)設計的太赫茲外圍電路，制作分立的太赫茲外圍電路；在太赫茲模塊上安裝制作的分立的太赫茲外圍電路，并將制作的分立的太赫茲肖特基二極管芯片安裝到所述太赫茲外圍電路上，構(gòu)成太赫茲單片電路。采用該種新型單片制作方式，適用于批量生產(chǎn)，在應用于大規(guī)模生產(chǎn)效率時，可將產(chǎn)能增加2個數(shù)量級。??