一種碳化硅器件的離子注入方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201811391500.7 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN109473345B 公開(kāi)（公告）日 2021-01-15
申請(qǐng)公布號(hào) CN109473345B 申請(qǐng)公布日 2021-01-15
分類(lèi)號(hào) H01L21/265;H01L21/266 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 秦龍;宋潔晶;胡澤先;高淵;高昶;孫虎;趙紅剛;呂鑫;朱延超;高三磊;王強(qiáng)棟;呂樹(shù)海;劉相伍 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 代理人 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所;北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司
地址 101300 北京市順義區(qū)高麗營(yíng)鎮(zhèn)文化營(yíng)村北(臨空二路1號(hào))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅器件的離子注入方法，包括：在碳化硅圓片表面淀積介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上涂覆光刻膠，得到涂覆光刻膠后的碳化硅圓片；對(duì)所述涂覆光刻膠后的碳化硅圓片進(jìn)行光刻，使離子注入?yún)^(qū)域暴露；根據(jù)離子注入能量和離子注入劑量，選擇對(duì)應(yīng)的注入溫度，并在所述離子注入?yún)^(qū)域注入離子；去除所述光刻膠和所述介質(zhì)層，得到離子注入后的碳化硅圓片。根據(jù)不同的離子注入能量和不同的離子注入劑量，選擇不同的注入溫度，多次注入后形成均勻的注入結(jié)構(gòu)，減少離子注入損傷，提高注入雜質(zhì)的激活率。